公司主要從事MOSFET,IGBT等半導體功率器件的研發,設計及銷售.

公司成立于2013年1月，2020年9月28日，在上交所主板完成掛牌。成立以來即專注于MOSFET、IGBT等半導體芯片和功率器件的研發、設計及銷售，產品優質且系列齊全，廣泛應用于消費電子、汽車電子、工業電子、新能源汽車及充電樁、智能裝備制造、軌道交通、光伏新能源、5G等領域；未來隨著云計算、大數據、智能電網、無人駕駛等領域的蓬勃發展，公司產品將在該等新興領域發揮重要作用。公司為國內MOSFET等半導體功率器件設計領域領軍企業，2016年以來連續五年名列“中國半導體功率器件十強企業”。公司已建立江蘇省功率器件工程技術研究中心、江蘇省企業研究生工作站、東南大學-無錫新潔能功率器件技術聯合研發中心、江南大學-無錫新潔能功率器件技術聯合研發中心。公司參與的“智能功率驅動芯片設計及制備的關鍵技術與應用”項目獲得了2019年度江蘇省科學技術一等獎，且獲得2020年度技術發明獎。公司基于全球半導體功率器件先進理論技術開發先進產品，是國內率先掌握超結理論技術，并量產屏蔽柵功率MOSFET及超結功率MOSFET的企業之一，是國內提前早在12英寸工藝平臺實現溝槽型MOSFET、屏蔽柵MOSFET量產的企業。公司產品電壓已經覆蓋了12V~1700V的全系列產品、達1700余種，為國內MOSFET等功率器件市場占有率排名前列的本土企業。公司將進一步依托技術、品牌、渠道等綜合優勢，結合大尺寸晶圓芯片(8英寸、12英寸)先進工藝技術，開拓國際先進功率器件封裝制造技術，全力推進高端功率MOSFET、IGBT、集成功率器件的研發與產業化，持續布局半導體功率器件先進前沿的技術領域，并投入對SiC/GaN寬禁帶半導體、智能功率器件的研發及產業化，提升公司核心產品競爭力和國內外市場地位。