易方達,國金證券,長城證券,北大方正人壽資管,中信保誠

說明:對于已發布的重復問題,本表不再重復記錄。

問題一:具體介紹一下公司集成電路材料測試中心項目。

回答:集成電路材料測試中心項目主要通過檢測中心的建設,進一步保障研發,縮短產品認證時間,加快科技成果轉化。項目不涉及產能建設,擬建設測試中心大樓15,000㎡并配備具有行業先進水平的實驗測試設備,打造國內一流的集成電路關鍵材料的研發、測試以及高校產學研中心,為科研人員提供良好的實驗中心環境。項目主要包括工程建設投資和實驗儀器購置兩項主要投資支出。實驗儀器方面,公司計劃購入行業內具有先進水平的光刻機、曝光機、涂布機、蝕刻機等實驗設備以及高精度透射電鏡(FIB)、掃描電鏡能譜(SEM)、高分辨液質、高分辨氣質、質譜儀、色譜儀等精度檢測及測試儀器。

問題二:光刻膠原材料樹脂是公司合成的嗎?

回答:公司先進封裝用g/i線正性光刻膠、晶圓制造i線正性光刻膠的主要原材料可以外購獲得,但先進封裝用g/i線負性光刻膠重要原材料丙烯酸樹脂被國外光刻膠企業獨家壟斷供應來源,無外購渠道,需要公司自行合成。公司經過上千次的實驗自主研發合成了該款光刻膠的核心樹脂材料,保證了后續產品供應的自主可控和穩定性。

問題三:簡要介紹超高純硫酸鈷產品。

回答:超高純硫酸鈷產品主要應用于14nm及以下制程的電鍍鈷工藝超高純硫酸鈷產品,與公司在研產品大馬士革銅互聯電鍍添加劑(28nm)均屬于晶圓制造所需的電鍍液,屬于公司現有電鍍液及配套試劑產品在晶圓制造領域的延伸。

A公司授權的技術主要為高純硫酸鈷的金屬雜質提純技術,驗證階段該部分工序仍由A公司完成并提供硫酸鈷原液給公司;公司則主要利用自身生產技術中顆粒物過濾相關的純化工藝技術對原液進行顆粒物的純化處理以達到客戶應用要求。此外,超高純硫酸鈷金屬離子雜質控制要求嚴格,總金屬離子雜質含量需要控制在10ppb-100ppm內,鋁、砷、鈣、鐵、鎂、鎳等金屬離子雜質濃度分別控制在1ppb-1ppm范圍內。產品量產過程中不能引起金屬雜質超標,相關生產設備為滿足金屬離子控制而采用的各種拋光、襯氟處理來源于公司多年電子化學品的生產經驗積累,也應用了公司的生產工藝技術。A公司授權技術主要為其實驗室中試產線的制備技術,從實驗室到規模量產需要經過工藝放大的過程。放大過程中如何保證產品性能和穩定性也是生產工藝核心技術能力的體現,具有一定技術壁壘。