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項目介紹

新存科技于2022年7月成立,目前擁有研發/運營120人團隊,科研人員為主,董事長鞠總美國西儲大學博士畢業,曾經在IBM/格羅方德;總經理劉博士,頂尖半導體企業工作20年以上。

應用場景變化帶來存儲芯片發展趨勢的改變,重點關注提高容量和提高傳輸效率,新型存儲器需求爆發。

技術優勢是比nand存儲性能更強,比DRAM成本低,針對溫數據存儲,即NAND達不到性能要求,DRAM性能過剩成本較高。成本可以做到DRAM的1/3-1/4,性能接近,讀取速度在一個數量級(DRAM:30ns;三維新型存儲器:80-100ns);首階段市場:服務器DRAM領域,對比服務器DRAM優勢:模組存儲的容量更大512G/1T,傳統DRAM256GB,插槽更多;存儲單價更低,同容量價格DRAM是兩倍以上;總持有成本更低,三維新型+DRAM比純DRAM節省25-30%成本(整個服務器層面);功耗更低;系統數據遷移工作負荷更低;

項目計劃:目前產品芯片開發階段,希望2025年形成第一代產品量產;同步開始第二代產品的開發;

應用方向:主要是數據中心、企業級存儲等。

提問:

1、三維新型存儲技術的特點。

答:技術特點來看,DRAM速度快,成本高;不同數據對性能/成本要求不同;熱數據對讀取速度有很高要求,冷數據對成本要求很高,溫數據適合新型存儲器,既可以滿足性能要求,同時控制成本;算一種技術演化,更好提高性能降低成本。

2、數據中心AI服務器成長,帶動HBM成長,HBM/PCM關系?

答:模型特點是有很多參數,現有服務器內存容量不足以支持在本地運行,需要幾臺服務器,PCM容量上有優勢,密度是DRAM3-4倍,模型有可能實現本地化運行,HBM也是為了解決容量問題,靠把多個DRAM芯片堆疊在一起,這個方式也可以用三維新型存儲芯片實現。

3、代工制造規劃和角色?

答:項目運營模式,存儲代工線由地方政府主導建設,新存科技由工藝研發團隊,會掌握設計研發工藝的所有專利,產線只是提供代工。

4、下游廠商如何看待新型存儲技術?

答:溫數據需要有新型存儲技術支持,從這個角度看這個技術是必須的。

5、溫數據定義?

答:定義比較模糊,DRAM能滿足但是NAND不能滿足的,有些數據對讀取要求是幾百ns,放在DRAM上成本較高,這些歸為溫數據。

6、市場空間怎么看?競爭優勢?

答:和DRAM相比會有更大的競爭優勢,性能接近DRAM速度達到80-100ns,DRAM速度30ns;熱數據有一部分都有可能放在新型芯片,成本可以做到DRAM的1/3-1/4,層數做上去成本可能更低;速率還是有很大的成長空間,關鍵在于存儲介質的速度,通過材料介質的優化可能達到DRAM速度。

7、海外大廠威脅?

答:目前為止新型存儲技術只面向小容量利基市場,公司的技術是面向主流的大容量市場。

8、英特爾,性能/定位/戰略相同和不同之處??

答:英特爾2017年推出產品,2022年因為戰略改變停止技術開發。技術上有很多共同處,新存科技立項時考慮到英特爾技術弱點,也考慮了客戶的反饋,性能有大幅提高。

9、配套芯片?

答:控制器芯片(相當于NAND主控芯片),配套形成模組;跟客戶合作,客戶負責控制器芯片/生態推廣,提供了相當多的資源;公司主攻存儲芯片。

10、公司產品接口?

答:公司產品采用CXL公用接口,應用場景會非常廣泛,CXL(協議標準)物理接口是PCIE的物理接口。

11、成本對比情況?

答:DRAM的1/3-1/4,基于DDR4在服務器的應用場景,PCM第一代比NAND貴10倍以上;DRAM比NAND貴50倍以上。

12、其他大廠是否有產品?

答:海外大廠動力不強,會替代原有業務。

西部數據在英特爾退出之后試圖組團隊研發,但是他們沒有自己的產線,研發推進不及預期,相對來說公司進展在前列,接近產業化;

旺宏:三維閃存有計劃,跟IBM有合作,還沒推出產品,IBM在相變有積累,但是沒有推出產品。

13、產能及產品規劃進展?

答:25年底形成1w/月,產線10月底開始建設,預計25年Q1-Q2小規模量產;DRAM只能做一層,PCM既可以微縮,也可以堆疊;下一代產品可能會向更多層數堆疊/性能指標改進。

14、英特爾為什么中止?

答:英特爾戰略主攻CPU和代工,非主流業務停止或賣掉了。

15、兩大客戶的驗證?

答:小規模提供給客戶,目前是研發線,產能比較少,有些客戶在做實際應用的驗證。

16、其他客戶在三維相變存儲的需求和規劃?

答:目前兩大客戶是國內云服務器巨頭,有自研能力,會在生態上參與,共同推廣。大部分云廠商感興趣,有一些自研投入比較少,期望能有成熟的方案。

17、遷移成本?

答:存在遷移成本,云服務巨頭經驗比較豐富,有能力遷移。

18、吞吐速率?

答:吞吐率是設計層面的問題,提高并行度,設計上可以優化。